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IXFC 96N15P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
ISOPLUS220 TM (IXFC) Outline
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 10 V; I D = 48 A, Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 48 A
R G = 4 Ω (External)
35
45
3500
1000
280
30
33
66
18
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Note:
Bottom heatsink (Pin 4) is
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 48 A
110
26
59
nC
nC
nC
electrically isolated from Pin
1,2, or 3.
R thJC
1.25 K/W
R thCS
(TO-247, PLUS220)
0.21
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
I S
V GS = 0 V
96
A
I SM
V SD
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
250
1.5
A
V
Ref: IXYS CO 0177 R0
t rr
I F = 25 A
200 ns
Q RM
I RM
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
600
6
nC
A
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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